Тарасенко В. П. Тонкопленочные поликристаллические фотопреобразователи на основе гетеропереходов

Объект исследования: Гетеропереходы. Цель исследования: Исследования электрических и фотоэлектрических свойств гетеропереходов, выявление путей оптимизации параметров фотопреобразователей при помощи использования диэлектрических, полупроводниковых и варизонных слоев. Методы исследования и аппаратура: Стандартные методики и аппаратура для исследования электрофизических свойств тонкопленочных гетеропереходов. Теоретические результаты и новизна: Установлены основные закономерности механизмов прохождения тока в ГП. Предложено новый вариант использования промежуточного полупроводникового слоя, что позволяет оптимизировать параметры тонкоплеочных ФП на основе n-CdTe. Практические результаты и новизна: Отработана технолгия изготовления тонкопленочных поликристаллических солнечных преобразователей на основе n-CdTe и n-CdSe. Сфера (область) использования: Результаты работы могут быть использованы в учреждениях и на предприятиях, которые занимаются исследованием и разработкой фотоэлектрических полупроводниковых приборов.