Гнатюк В. А. Модификация дефектной структуры и фотоэлектрических свойств твердых растворов ZnxCd1-xSe, СdхHg1-xTe при лазерном облучении

Объект исследования: Монокристаллы твердых растворов ZnxCd1-xSe и кристаллы, эпитаксальные шары и пленки CdxHg1-xTe. Цель исследования: Модификация системы дефектов структуры твердых растворов ZnxCd1-xSe и CdxHg1-xTe при помощи облучения наносекундными импульсами рубинового лазера для установления закономерностей дефектообразования и направленного изменения фотоэлектрических характеристик. Методы исследования и аппаратура: Фотоэлектрические, электрофизические, гальваномагнитные измерения, комбинационное рассеяние света, лбминесценция, растворовая электронная микроскопия, оптическая микроскопия, электронно-зондовый анализ, рентгеновская дифрактометрия и топография. Теоретические результаты и новизна: При облучении ZnxCd1-xSe, CdxHg1-xTe наносекундными импульсами лазера впервые исследовано такие эффекты: увеличение ширины запретной зоны, связанное с увеличением в составе твердых растворов широкозонной компоненты; увеличение фоточувствительности; образование дефектов акцепторного типа в CdxHg1-xTe и пленки Te на поверхности. Практические результаты и новизна: Предложены способы направленного изменения электрических и фотоэлектрических параметров в ZnxCd1-xSe и CdHg1-xTe путем облучения наносекундными импульсами лпзера, а также метод контроля деградации оптических элементов с ZnSe в лазерных установках. Сфера (область) использования: технология производства полупроводниковых материалов ZnxCd1-xSe и CdxHg1-xTe и фотоприемных приборов на их основе, а также оптических элементов с ZnSeдля силовой ИЧ-оптики.