Мельничук А. В. Поляритоны в гексагональных монокристаллах оксида цинка м карбида кремния

Объект исследования: Монокристаллы оксида цинка и карбида кремния (политип SiC 6H). Цель исследования: Исследование особенностей поверхностных фононных и плазмофононных поляритонов в гексагональных монокристаллах оксида цинка и карбида кремния (политип SiC 6H). Методы исследования и аппаратура: Стандартные методики и аппаратура для исследования оптических и электрофизических особенностей полярных полупроводников. Теоретические результаты и новизна: Разработана многосциляторная математическая модель, которая учитывает влияние поверхностных обработок монокристаллов оксида цинка и карбида кремния на спектры ИЧ отбивания в области остаточных лучей. Определено значение анизотропии оптической эффективной массы электронов в коэффициент затухания плазмонов ZnO и SiC 6H. Практические результаты и новизна: Определены фундаментальные оптические параметры монокристаллов ZnO и SiC 6H в области остаточных лучей. предложено для среднего ИЧ диапазона использовать как эталон коэффициента отображения зеркала слабо легированные монокристаллы SiC 6H. разработан споосб модуляции ИЧ облучения и прбор для его осущеcтвления при использовании спектров поверх.поляритон. Сфера (область) использования: Решение задач оптоэлектроники и оптического приборостроения, ИНАН УУкраины, ИФ АН Украины, КУ им. Т.Шевченка, КПИ, ИС АН Р, ФТИ АН Р.