Снежный Г. В. Термо- и фотостимулированная поляризация кристаллов Bi12SiO20

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0493U001055

Облікова картка дисертації

0493U001055.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

04-03-1993

Спеціалізована вчена рада

К 068.52.02

Анотація

Объект исследования: Чистые и легированнеы ионами Al и Ga монокристаллами Bi12ASO20. Цель исследования: Устанолвение особенностей и механизмов термо- и фотостимулированной поляризации в условиях возникновения, сбережение и разрушения электрктного состояния в кристаллах. Методы исследования и аппаратура: Методы термоактивационной токовой и эмнисной спектроскопии, потенциального зонда од микроскопом; вольтметр-электрометры В7-30 I Ф30, вольтметр В2-36, мост переменного тока Р5083, Интерфейс "САМАС", ЭВМ "МЕРА-660". Теоретические результаты и новизна: Впервые идентифицированы вклады объемно-зарядового и дипольного механизмов поляризации. Изучены основные параметры локальных энергетических уровней запрещенной зоны и квазидиполов. Практические результаты и новизна: Выявлена роль инжекции и блокирующих особенностей контактов Pt-Bi12SiO20 в процессах поляризации кристаллов. Определено влияние легирования ионами Al I Ga на процессы термо- и фотостимулированной поляризации, диэлектрические особенности. Предмет и степень внедрения: Термоактивационные процессы и электретные эффекты при исследовании кристаллов. Эффективность внедрения: Опубликовано 15 научных работ. Сфера (область) использования: Физика полупроводников и диэлектриков, физика твердого тела.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах