Лещук Р. Е. Люминесценция и центры окраски в кристаллах Са3Ga2Ge4O14

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0493U001151

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

07-10-1992

Спеціалізована вчена рада

Д 068.26.05

Анотація

Объект исследования: Монокристаллы Ca3Ga2Ge4O14. Цель исследования: Исследование спектроскопических свойств примесных ионов хрома, марганца, титана и центров окраски в кристаллах Ca3Ga2Ge4O14. Методы исследования и аппаратура: Абсорбционно-люминесцентные исследования, метод термовысвечивания, метод электронного парамагнитного резонанса; Спектрофотометры СДЛ-2, "Specord М40", ДФС-52, радиоспектрометр РЭ-1306. Теоретические результаты и новизна: Установлены особенности изоморфизма, микроструктура центров и схемы энергетических переходов активаторных ионов Cr в степени три, Mn в степени три, Ti в степени четыре, в монокристаллах; показано что ионизирующие излучения (УФ, Y) приводят к перезарядке примесных ионов и образованию дырочных (0_), а термохимическое окрашивание - электронных (F) центри. Практические результаты и новизна: Показана возможность использования кристаллов Ca3Ga2Ge4O14:С2 в качестве активных лазерных элементов с плавной перестройкой частоты стимулированного излучения в спектральной области 770-960 нм; установлено, что в спектроскопических характеристиках Са-галлогерманата проявляются особенности, характерные для разупорядоченных структур. Сфера (область) использования: Квантовая электроника. Результаты могут быть использованы во Львовском, Киевском, Ужгородском университетах, ПО "Полярон" (г.Львов), "Арсенал" (г.Киев).

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах