Борщак В. А. Влияние дефектов области пространственного заряда на явления переноса в CdS-Cu2S фотопреобразователях

Объект исследования: Неидеальные гетеропереходы. Цель исследования: Разработка модели, которая позволяет из единых позиций выяснить явления, которые связаны с токопереносом в области пространственного заряда гетероперехода CdS-Cu2S и разработка фотоэлектрических преобразователей на базе этого гетероперехода. Методы исследования и аппаратура: Методы: Комплексные фотоэлектрические измерители свойств неидеальных гетеропереходов. Устройства: состав измененного тока Р 5021, программатор ПР-8, осцилограф запоминающий С8-13. Теоретические результаты и новизна: Экспериментально и теоретически показано, что проводимость гетероперехода CdS-Cu2S обусловлена главным образом скачковым переносом с измененной длинной скачка в области пространственного заряда гетероструктуры со следующей рекомбинацией на состояниях границы раздела. Разработан численный метод расчета ЕРС холостого хода гетерофотоэлемента. Практические результаты и новизна: На базе предложенной модели разработан метод вычисления ВАХ неидеальных гетеропереходов. Разработан метод определения дифузионной длинны в сульфиде меди к спектральной зависимости фотоотзыва гетероперехода CdS-Cu2S. Сфера (область) использования: Научные и прикладные исследования неидеальных гетеропереходов; проектирвоание и производство на базе таких гетеропереходов фотопреобразователей разного назначения.