Когут И. Т. Элементы МОН ИС и сенсорные устройства на основе КНИ-структуры с лазерной рекристаллизацией поликремниевого слоя

Объект исследования: Рекристаллизованные слои поликремния, Элементы МОН ИС и датчиков, технология изготовления. Цель исследования: Исследование возможностей создания элементов КНИ МОН ИС и сенсорных устройств на рекристаллизованных поликремниевых пленках на изоляторе. Методы исследования и аппаратура: Оптическая, электронная, растровая и просвечивающая микроскопия, измерение электрофизических параметров, ВАХ, ВФХ приборов и КНИ структур. Теоретические результаты и новизна: Исследованы особенности микрозонной лазерной рекристаллизации поликремниевых пленок на изоляторе и приборов на этой основе. Практические результаты и новизна: Разработаны оптимальные условия микрозонной лазерной рекристаллизации поликремния в составе КНИ-структур, разработаны и исследованы тестовые КНИ МОН ИС и датчики. Предмет и степень внедрения: Способы повышения качества КНИ- и монокремниевых ИС и техенологии, приборных структур НДДКР и серий. Эффективность внедрения: 630,0 тыс. крб. Сфера (область) использования: Микроэлектронные приборы, конструкции и технология.