Матульский В. Б. Действие ионизирующих и механических молей на термостимулированную эмиссию компонент с поверхности кристаллов CdTe и CdS

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0493U002392

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

07-04-1993

Спеціалізована вчена рада

Д 068.26.05

Анотація

Объект исследования: Монокристаллы CdTe и CdS. Цель исследования: Установление механизмов и закономерностей термо- и механоэмиссии компонент с поверхности монокристаллов CdTe и СdS предварительно облученных гамма-квантами, потоками электронов и рентгеновским излучением. Методы исследования и аппаратура: Мас-спектрометрический анализ, измерение электрофизических параметров, оптическая микроскопия, химическое травление, кинетические и температурные исследования. Мас-спектрометр МХ-7304, вторичный электронный умножитель ВЭУ-6, рентгеновский аппарт УРС-55А, агрегат безмасляной откачки СВА-0,25. Теоретические результаты и новизна: Исследовано эмиссию электронов с базисных граней кристаллов CdS при их охлаждении от комнатной до температуры жидкого азота. Установлено, что эмиссия атомов Cd в процессе деформации образцов CdTe определяется дислокационной структурой кристаллов. Предложено механизм эмиссии электронов и атомов. Практические результаты и новизна: Экспериментально установлена возможность применения эффекта механоэмиссии атомов кадмия с кристаллов CdTe и СdS для исследования объемных и поверхностных свойств полупроводниковых соединений А2В6. Предмет и степень внедрения: Результаты эмиссионных исследований могут быть использованы в ИНП АН Украины, ЛГУ, ЧГУ при проектировании приборов электронной техники, которые работают в условиях действия радиации и механических нагрузок. Сфера (область) использования: Физика полупроводников и диэлектриков, масс-спектрометрия, материаловедение.

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах