Лещенко М. О. Диэлектрическая спектроскопия слабоупорядоченных сегнетоэлектриков

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0493U002580

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

21-10-1993

Спеціалізована вчена рада

К 068.07.02

Анотація

Объект исследования: Монокристаллические и керамические сегнетоэлектрические материалы. Цель исследования: Изучение механизмов размывки сегнетоэлектрического фазового перехода, а также механизмов поляризации и их частотно-температурных зависимостей в слабоупорядоченных сегнетоэлектриках: PbIn1/2Nb1/2O3,PbSc1/2Nb1/2O3,PbMg1/3Nb2/3O3,x.PbMg1/3Nb2/3O3-(1-x).PbSc1/2Nb1/2O3,K1-xLixTaO3. Методы исследования и аппаратура: Метод диэлектрической спектроскопии с использованием мостовых (Р5016), коаксиальных (Р4-...) и волнопроводных (Р2-...) экспериментальных установок для измерения Е*(w). Диэлектрический спектрометр диапазона 500 кГц-1,25 ГГц (собственая разработка на базе Р4-37). Теоретические результаты и новизна: Доведено, что задача определения функций распределения времени релаксации (ФРЧР) непостредетсвенно с экспериментальных диэлектрических спектров относится к так называемым математически некорректно сформулированных. Установлено корреляции параметра дальнего порядка и степени размывки ФП с особенностями спектров Е* в PbIn1/2Nb1/2O3. Практические результаты и новизна: Разработан диэлектрический спектрометр иапазона 500кГц-1,25ГГц, на основе строгого подхода к определению распределения электромагнитного поля в образце, который исследуется. На основе математических методов регуляризации Тихонова А.М. предложена новая методика обсчета ФРЧР непосредственно с экспериментальных диэлеткрических спектров Е*(w). Предмет и степень внедрения: Автоматизированный диэлектрический спектрометр диапазона 500кГц-1,25ГГц на базе измерителя Р4-37. Численная методика анализа размытых диэлектрических спектров Е*(w). Сфера (область) использования: Физика твердого тела. Физика полупроводников и диэлектриков. Физика неупорядоченного состояния. Диэлектрические измерения. Диэлеткрическая спектроскопия. Анализ спектров.

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах