Круковский С. И. Тонкие и субмикронные слои на основе GaAs, полученные из растворов в расплаве висмута

Объект исследования: Эпитаксионные слои GaAs и AlCaAs и гетероструктуры GaAs-AlGaAs. Цель исследования: Исследовать условия получения тонких слоев GaAs и AlGaAs и гетероструктур GaAs-AlGaAs, Si-SixGei-x методом РФЕ из Ga-Bi и Ga-Bi-Al расстворов-расплавов, а также - исследования их электрофизических и фотолюминесцентных свойств. Методы исследования и аппаратура: Низкотемпературная ФЛ, двухкристальная рентгеновская дифрактометрия, метод растровой электронной микроскопии /ISI-DS-130C/, рентгеновский микроанализ /Comebax/. Теоретические результаты и новизна: Рассчитаны и исследованы фазовые равновесия в системах Ga-Bi-Al-GaAs; Ga-Bi-GaAs, на основе которых разработан метод получения квантово-размерных слоев GaAs и AlGaAs из Ga-Bi растворов-расплавов. Практические результаты и новизна: Разработана технология получения тонких и субмикронных слоев CaAs, AlGaAs из Ca-Bi расплавов для фотодиодов, инжекционных лазеров. Предмет и степень внедрения: Технология получения гетероструктур CaAs-AlGaAs из Ca-Bi-AlGaAs из Ga-Bi и Ca-Bi-Al растворов-расплавов. Освоено производство гетероструктур. Эффективность внедрения: Экономический эффект 1,7 млн.крб. в ценах 1992 г. Сфера (область) использования: Оптоэлектроника.