Казанцева З. И. Пленки Ленгмюра-Блоджетт (ПЛБ) жирных кислот и фталоцианинов на полупроводниках: технология изготовления, структура и некоторые электронные свойства

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0493U003003

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

21-05-1993

Спеціалізована вчена рада

К 016.25.01

Анотація

Объект исследования: Пленки Ленгмюра-Блоджетт жирных кислот и фталоцианинов. Цель исследования: Решение комплекса научно-технических проблем разработки технологии изготовления ПЛБ на полупроводниках, исследование влияния физико-химического состояния подложки на формирование структуры пленки, изучение физических свойств ПЛБ в зависимости от их структуры. Методы исследования и аппаратура: Дифракция медленных электронов, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, эллипсометрия, малоугловая рентгеновская дифракция, электронная микроскопия, вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики, спектры оптического поглощения. Теоретические результаты и новизна: Показано влияние физико-химического состояния подложки на двумерное упорядочение ПЛБ. Установлена связь между структурой и электрофизическими, а также оптическими свойствами ПЛБ фталоцианинов. Практические результаты и новизна: Обнаружена зависимость планарной электропроводности ПЛБ тетратретбутил фталоцианина меди от концентрации электроотрицательных газов в атмосфере, что позволяет создать высокочувствительный газовый сенсор. Получены новые пассивирующие покрытия на полупроводниках. Сфера (область) использования: Молекулярная электроника, микроэлектроника, микросенсорика. результаты могут быть использованы в: ИФ АНУ, КГУ, ИФХ АНУ, ХГУ и др.

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах