Бачериков Ю. Ю. Спектроскопия фотолюминесценции и комбинированнного рассеяния света тонких полупроводниковых пленок и гетероструктур на основе арсенида галия

Объект исследования: GaAs полученный методом молекулярно-лучевой эпитаксии и бiбi - сверхструктуры на его основе, GaAs/Si с ориентацией (100) (111) (211). Цель исследования: Исследования эффектов структурного разупорядочения в тонких и сверхтонких полупроводниковых пленках, и гетероструктурах GaAs, а также влияние на них внешних активных факторов. Методы исследования и аппаратура: Фотолюминесценция, комбинационное рассеяние света, нарушенное полное внутреннеее отражение, ВИМС. Теоретические результаты и новизна: Впервые исследован эффект геттерирования в бiбi-структурах и разработана его модель. В МЛЭ-GaAs обнаружена линия люминесценции с hv=1.551:1.577 еВ, исследованы ее свойства. Практические результаты и новизна: Разработана методика уменьшения механических напряжений и структурного разупорядочения пленок GaAs в гетероструктуре GaAs/Si (III). Сфера (область) использования: Производство сверхчистых, ненапряженных пленок, могут быть рекомендованы ИФ АН Украины, МГУ (Россия), АН Литвы и др.