Петрусенко В. Н. Проводимость МТДП структр с оновными носителями заряда

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0493U003249

Облікова картка дисертації

0493U003249.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

20-09-1993

Спеціалізована вчена рада

К 068.18.01

Анотація

Объект исследования: МТДП структуры. Цель исследования: Исследование свойств МТДП структур с основми носителями заряда. Методы исследования и аппаратура: экспериментальные методы: источники напряжения, генераторы импульсов, осцилографы, вольтметры. Теоретические результаты и новизна: Теоретически обоснованы новые экспериментальные результаты. Практические результаты и новизна: Показано, что в МТДП структрах с основными носителями заряда стационарный ток протекает планарно неоднородно, обнаружена значительная температурная зависимость тока.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах