Петричук М. В. Исследование природы избыточного шума в полупроводниках

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0493U003416

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

15-10-1993

Спеціалізована вчена рада

К 016.25.01

Анотація

Объект исследования: Полупроводниковые резисторы и биполярные транзисторы. Цель исследования: Установление физических механизмов формирования избыточного шума в полупроводниковых резисторах и транзисторах. Методы исследования и аппаратура: Измерение температурных и токовых зависимостей параметров шума; селективный вольтметр. Теоретические результаты и новизна: Установлены физические механизмы формирования I/f-шума в полупроводниках. Практические результаты и новизна: Методика идентификации избыточного шума в биполярных транзисторах. Сфера (область) использования: ИФП АН Украины, В/О "Квазар" (Киев), В/О "Октябрь" (Винница).

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах