Салюк О. Ю. Люминесценция и тепловое излучение полупроводниковых структур на основе InSb и Ge

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0493U003558

Облікова картка дисертації

0493U003558.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

15-10-1993

Спеціалізована вчена рада

К 016.25.01

Анотація

Объект исследования: Монокристаллические непрямозонные полупроводники и полупроводниковые структуры на их основе. Цель исследования: Изучение неравновесного излучения при различных концентрационных эффектах, разработка эффективных ИК-излучателей. Методы исследования и аппаратура: Измерение мощности ИК-излучения, вольтамперных характеристик. Теоретические результаты и новизна: Разработаны эффективные излучающие структуры с высокой пространственной однородностью излучения, методика определения параметров п/п. Сфера (область) использования: ИК-техника, оптоэлектроника.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах