Краснов А. Н. Получение и исследования монокристаллов селенида цинка с дырочной проводимостью

Объект исследования: Монокристаллы селенида цинка. Цель исследования: Разработка методики получения высокопроводных монокристаллов селенида цинка с дырочной проводимостью и объяснения природы соответсвующих центров. Методы исследования и аппаратура: Комплексные электрофизические и оптические измерения свойств полупроводников. Использование термодинамического метода расчета концентраций дефектов (КХРД-метод). Приборы: комплекс КСВУ-6, аппаратура для измерения МС7201-М. Теоретические результаты и новизна: Теоретически доказано, что отжиг в расплаве селена приводит к созданию высокой дырочноый проводимости монокристаллов селенида цинка. Впервые проведена идентификация акцепторов в полученных образцах. Определен коэффициент диффузии лития в кристаллах с излишком металлоида. Практические результаты и новизна: Практически использована разработанная технология получения высокопроводных кристаллов. Показано, что путем изменения режима отжига в расплаве селена и фторида лития можно руководить свойствами полупроводника. Сфера (область) использования: Научные и прикладные исследования полупроводников A2B6 и проектирование на основе низкоомных образцов высококачественных светодиодов.