Божко В. В. Электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов и тонких слоев антимодинов индия и кадмия

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0494U000473

Облікова картка дисертації

0494U000473.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

18-03-1994

Спеціалізована вчена рада

К 016.25.01

Анотація

Объект исследования: Монокристаллы InSd, СdSb, монокристаллические тонкие слои InSb. Цель исследования: Изучение глубоких центров в InSb, эффекта отрицательной фотопроводимости и влияние Y- и нейтронного облучения. Методы исследования и аппаратура: Нестационарная спектроскопия глубоких центров, фотопроводимость, поглощение. Теоретические результаты и новизна: Обнаружено новые глубокие центры в InSb и исследовано эффект отрицательной фотопроводимости CdSb. Практические результаты и новизна: Разработано малоинерционные фотоприемники для волоконно-оптических линий связи, датчики мощности излучения. Сфера (область) использования: Инфракрасная волоконная оптика, датчики излучения.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах