Васильковский С. А. Исследование особенностей плазмон-фонного взаимодействия и оптическая диагностика структур на основе GaAs

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0494U000548

Облікова картка дисертації

0494U000548.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

15-04-1994

Спеціалізована вчена рада

К 016.25.01

Анотація

Объект исследования: Монокристаллы GaAs, эпитаксиальные структуры GaAs. Цель исследования: Системное изучение влияния свободных носителей и их неоднородного распределения на спектры КРС и ИК отражения. Методы исследования и аппаратура: КРС, ИК отражеие, ФЛ. ДФС-52, ИКС-52. Теоретические результаты и новизна: Получены выражения функции формы линии для "разрешенных" механизмов рассеяния для произвольного волнового вектора. Практические результаты и новизна: Разработан рефлектометрический метод определения профиля. Сфера (область) использования: Предприятия микроэлектроники.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах