Водопьянов В. Н. Получение и физические свойства легированных эпитксиальных слоев Теллуридов свинца-олова-германия

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0494U002066

Облікова картка дисертації

0494U002066.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

22-10-1993

Спеціалізована вчена рада

Д 068.16.01

Анотація

Объект исследования: Узкозонные полупроводники А4В6. Цель исследования: Получение и исследование свойств новых полупроводниковых материалов. Методы исследования и аппаратура: Гальваномагнитные, оптические, фотоэлектрические, фотолюминесцентные, рентгеновские. Теоретические результаты и новизна: Предложены механизмы легирующего действия и определены энерегтические параметры состояний примесей. Практические результаты и новизна: Разработаны споосбы получения материалов с высокой фоточувствительностью и высоким квантовым выходом фотолюмии.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах