Кидалов В. В. Собственные дефекты в соединениях А2В6, полученных методом радикалолучевой эпитаксии

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0494U002317

Облікова картка дисертації

0494U002317.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

08-02-1994

Спеціалізована вчена рада

К 068.24.03

Анотація

Объект исследования: Эпитаксиальные пленки - ZnO полученные методом РЛЭ. Цель исследования: Разработка физических основ управления и контроля собственных дефектов в соединениях А2В6 полученных методом РЛЭ. Методы исследования и аппаратура: Оже-спектроскопия, фотолюминесцентный анализ, рентгенофазный анализ. Теоретические результаты и новизна: Построена модель дефектообразования в данных соединениях. Практические результаты и новизна: Получена структура ZnO/ZnSe с шириной переходного слоя порядка струтктуры ZnSe1-x Sx. Предмет и степень внедрения: Планируется внедрение полученных результатов. Эффективность внедрения: Оптимизация технологии производства структур ZnO/ZnSe. Сфера (область) использования: Оптоэлектроника.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах