Катерняк И. Б. Поляризационные эфекты в монокристаллах окиси галлмия и галлиевых гранатов

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0494U002455

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

02-03-1994

Спеціалізована вчена рада

Д 068.26.05

Анотація

Объект исследования: Монокристаллы оксида галлия гадолиний галлиевого граната. Цель исследования: Установление роли точечных дефектов и их асоциативов в процессах термо- и фотостимулированной электрический поляризации. Методы исследования и аппаратура: Электрически поляризационные, люминесцентные и оптические методы, спектрофотометры СФ-4А. Теоретические результаты и новизна: Применен температурный градиент для разделения дипольного и объемно-зарядового механизмов поляризации. Практические результаты и новизна: Выявлена дипольная поляризация, идентифицированы два типа центров закрашивания, установлены условия формирования фотоэлектратного состояния. Предмет и степень внедрения: Методика разделения механизмов поляризации и способ контроля однородности пластин гранатов. Эффективность внедрения: Внедрено на межкафедральном уровне. Сфера (область) использования: Физика полупроводников и диэлектриков, оксидных материалов.

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах