Демкив Т. М. Разупорядочение и электронные свойства кристаллов 4 3

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0494U002456

Облікова картка дисертації

0494U002456.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

03-03-1994

Спеціалізована вчена рада

Д 068.26.05

Анотація

Объект исследования: Нелигированные и интеркальованные медью кристаллы субселенида индия. Цель исследования: Изучение влияния слоистости на электронные свойства субселенида индия. Методы исследования и аппаратура: Рентгеновские, электрические, фотоэлектрические и оптические методы; "Дрон-2", "ЖК 7807/сж", "ОФ-18". Теоретические результаты и новизна: Впервые установлены параметры локализованных состояний различной природы в кристаллах субселенида индия. Практические результаты и новизна: Предложен способ интеркалирования медью кристаллов субселенида индия и методика исследования природы локализованных состояний в слоистых полупроводниковых кристаллах. Предмет и степень внедрения: Методика получения слоистых интеркалированных кристаллов разработана и применяется на лабораторном уровне. Сфера (область) использования: Физика полупроводников, материаловедение.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах