Молнар Ш. Б. Влияние структурного разупорядочения на свойства кристаллов с модулированными фазами типа Sn2P2Se6

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0494U002457

Облікова картка дисертації

0494U002457.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

17-03-1994

Спеціалізована вчена рада

К 068.07.02

Анотація

Объект исследования: Кристаллы одноосных сегнетоэлектриков- полупроводников типа. Цель исследования: Изучить влияние структурного разупорядочения на свойства несоразмерной фазы в кристаллах типа. Методы исследования и аппаратура: Диэдектрический метод и дилатометрический метод. Теоретические результаты и новизна: Отклонения от терии Ландау в поведении параметра в окрестности фазового перехода. Практические результаты и новизна: Оптимизация пироэлектрических и пьезоэлектрических параметров кристаллов. Предмет и степень внедрения: Оптимальные углы среза. Эффективность внедрения: Данные использовались при создании пироприемников. Сфера (область) использования: Физика низких температур.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах