Салий Я. П. Дефектообразование в пленках халькогенидов свинца и олова под влиянием радиационного излучения

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0494U002658

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

29-04-1994

Спеціалізована вчена рада

Д 068.16.01

Анотація

Объект исследования: Пленки халькогенидов свинца и олова, альфа-излучения, электрические свойства. Цель исследования: Теоретическое и экспериментальное исследование условий выращивания, радиационной и термической обработок на процессы образования собственных дефектов. Методы исследования и аппаратура: Метод горячей стенки, источники альфа-излучения, метод Холла, метод Бонда, статистическая обработка результатов эксперимента. Теоретические результаты и новизна: Единая модель точечных дефектов для описания процессов выращивания, радиационной и термической обработок. Двусоставный механизм отжига радиационных дефектов. Практические результаты и новизна: Температурно-временные интервалы стабильности структуры и электрических параметров пленок халькогенидов свинца и олова. Способ определения распределения радиационных дефектов. Сфера (область) использования: Оптоэлектроника и термоэлектроника.

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах