Литвиненко Ю. Ю. Фотоэлектрические свойства гетероструктуры CdS-CdTe

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0494U002825

Облікова картка дисертації

0494U002825.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

12-05-1994

Спеціалізована вчена рада

К 068.24.03

Анотація

Объект исследования: Пленки сульфида и телурида кадмия и гетероструктура (ГС) CdS-CdTe. Цель исследования: Разработка модели, которая с единых позиций объясняет явления, связанные с токопереносом в области пространственного заряда ГС CdS-CdTe. Методы исследования и аппаратура: Методы рентгеновской дифракции (ДРОН-2), растровой электронной микроскопии и РСМА (ISM-35С). Теоретические результаты и новизна: Установлено, что пленки CdTe состоят из кристаллитов разной проводимости, ГС имеет такую структуру п-CdS-р-CdTe-п-СdTe. Практические результаты и новизна: Прдложены способы расчета концентрации вакансий кадмия и спектрального отзыва CdS-CdTe. Сфера (область) использования: Производство на базе CdS-CdTe фотопреобразователей разного назначения.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах