Бурак М. М. Разработка инфракрасного источника излучения на основе тонкопленочных композиций CdTe-CdSe, InSe активных Ge

Объект исследования: Полупроводниковые материалы CdTe, CdSe, InSe и их композиции активированные Ge. Цель исследования: Создание источников излучения в ближней Ич области спектра путем разработки фильтров с максимальным коэффициентом пропускания в этой области. Методы исследования и аппаратура: Соответствуют современным метрологическим требованиям измерения. Теоретические результаты и новизна: Исследованы структурочувствительные физические величины для тонких полупроводниковых материалов и их композиций. Практические результаты и новизна: Представлены новые конструктивные решения по элементам источника излучения и разработки новых технологических процессов. Разработаны эффективные ИЧ источники излучения. Предмет и степень внедрения: Внедрены два техпроцесса и ИЧ источники излучения. Эффективность внедрения: Увеличена надежность в два раза разработанного ИЧ источника излучения. Сфера (область) использования: Светотехническая отрасль промышленности.