Мороженко В. А. Влияние внешних воздействий на излучательные характеристики свободных электронов в полупроводниках

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0495U000047

Облікова картка дисертації

0495U000047.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

16-12-1994

Спеціалізована вчена рада

К 016.25.01

Анотація

Объект исследования: Полупроводники А3В5, германий. Цель исследования: Исследование особенностей равновесного и неравновесного излучения свободных носителей заряда в полупроводниках. Методы исследования и аппаратура: Поляриметрия ИК излучения, спектральный комплекс ИКС-31. Теоретические результаты и новизна: Исследованы поляризационные характеристики теплового излучения и люминесценции свободных электронов. Практические результаты и новизна: Предложены метод контроля параметров полупроводников и ИК-излучатели. Сфера (область) использования: Лаборатории предприятий полупроводниковой промышленности.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах