Загиней А. А. Исследование процессов неравновесного структурообразования и модификации свойств полупроводниковых кристаллов теллурида кадмия и ртути под действием лазерного излучения

Объект исследования: Теллурид ртути, теллурид кадмия и твердые растворы на их основе. Цель исследования: Прогнозирвоание путей практического использвоания неравновесных процесов и состояния для модификации структуры и свойств исследуемых материалов. Методы исследования и аппаратура: Рентгенография, оптическая и электронная спектроскопия. НР-5950А, Jamp-10s Superprobe-433. Теоретические результаты и новизна: Изучены закономерности процессов плавления кристаллизации егко диссоциирующих соединений теллурида кадмия-ртути. Практические результаты и новизна: Предложены новые способы формирования фоточувствительных барьерных структур и геттерных слоев заданной толщины. Предмет и степень внедрения: Методика передана институту прикладной физики ЛДУ для использования. Эффективность внедрения: Улучшение основных характеристик фоточувствительных барьерных структур ИК-диапазона. Сфера (область) использования: Микроэлектроника, ИК-техника.