Маому Ф. Э. Однородность структур для солнечных элементов на основе аморфного гидрогенизированного кремния

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0495U002081

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

10-05-1994

Спеціалізована вчена рада

К 068.24.03

Анотація

Объект исследования: Пленки аморфного гидрогенизированного кремния. Цель исследования: Исследование начальной однородности параметров солнечных преобразователей и анализ характера ее изменения во время облучения. Методы исследования и аппаратура: Разнообразные ртутные и лазерные зонды, установки для измерения шумов и спектральных характеристик. Теоретические результаты и новизна: Выявлена корреляция между поверхностными свойствами р-1-п структур и наличии дефектов на активном участке. Практические результаты и новизна: Разработанные методики и аппаратура позволяют прогнозировать надежность и стабильность солнечных фотопреобразователей. Сфера (область) использования: Производство на базе а-Si:Н разнообразных фотопреобразователей.

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах