Строителева Н. И. Структурные преобразования и токовые флуктуации в кремнии с разными видами дефектов

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0495U002228

Облікова картка дисертації

0495U002228.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

17-06-1994

Спеціалізована вчена рада

К 068.52.02

Анотація

Объект исследования: Дефектный кремний. Цель исследования: Исследование структурных преобразователей и низкочастотного токового шума. Методы исследования и аппаратура: Электронная микроскопия (ПРЭМ-200, ЕМ-7А) и етод токовых флуктуаций. Теоретические результаты и новизна: Дополнены современные представления о теоертических моделях генерации шума типа 1/f. Практические результаты и новизна: Предложны критерии отбора монокристаллов кремния для процесса обращенной эпитаксии. Предмет и степень внедрения: Планируется внедрение. Сфера (область) использования: Материаловедение полупроводников.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах