Молнар А. А. Низкочастотные процессы и временная релаксация диэлектрических свойств в спонтанно поляризованных полупроводниках

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0495U002482

Облікова картка дисертації

0495U002482.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

15-09-1994

Спеціалізована вчена рада

К 068.07.02

Анотація

Объект исследования: Сегнетоэлектрики-полупроводники типа Sn2P2S6. Цель исследования: Получение сведений про особенности влияния электронной и дефектной подсистем на кинетику сегнетоэлектрического упорядочения. Методы исследования и аппаратура: Комплексные экспериментальные исследования диэлектрических свойств сегнетоэлектриков на базе автоматизированной измерительной системы. Теоретические результаты и новизна: Впервые установлено условия возникновения и свойства промежуточного состояния в кристаллах Sn2Р2S6, выявлено влияние флуктуаций на фазовый переход. Практические результаты и новизна: Разработана методика прецизионного исследования диэлектрических свойств на низких и инфранизких частотах. Предмет и степень внедрения: Автоматизированная измерительная система внедрена в научные исследования УжГУ. Сфера (область) использования: Диэлектрическая спектроскопия низких и инфранизких частот.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах