Берча А. И. Исследование квантово-размерных эффектов в полупроводниковых гетероструктурах и сверхрешетках оптическими методами

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0495U002488

Облікова картка дисертації

0495U002488.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

20-10-1994

Спеціалізована вчена рада

К 068.07.02

Анотація

Объект исследования: Сверхрешетки GaAs-AlAs, гетероструктуры CdTe-Sn2P2S6, поверхность поверхность монокристаллов CdTe. Цель исследования: Исследование проявлений эффекта размерного квантования в оптических свойствах гетероструктур и сверхрешеток. Методы исследования и аппаратура: Метод низкотемпературной фотолюминесценции. Теоретические результаты и новизна: Расчет спектров оптического усиления в сверхрешетке GaAs-Gal-xAlxAs с учетом эффекта растекания электрон-дырочной плазмы. Практические результаты и новизна: Взаимосвязь геометрических параметров, совершенства структуры, эффектов нелинейных и растекания в квантовых системах. Предмет и степень внедрения: Определены приповерхностного изгиба зон оптическими методами. Сфера (область) использования: Физика полупроводников, физика твердого тела, твердотельная электроника.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах