Раренко А. И. Электрофизические, тепловые и термоэлектрические свойства структурно совершенных кристаллов CdSb и приборы на их основе

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0495U002539

Облікова картка дисертації

0495U002539.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

27-01-1995

Спеціалізована вчена рада

Д 068.16.01

Анотація

Объект исследования: Монокристаллы сурьмянистого кадмия. Цель исследования: Разработка технологии совершенных монокристаллов CdSb, исследование физических свойств, создание новых приборов. Методы исследования и аппаратура: Рентгенографические, низкотемпературные экспер. статистические теоретические методы. Теоретические результаты и новизна: Расчитаны фононный спектр, теплоемкость, теплопроводность и термоэдс совершенных кристаллов CdSb. Практические результаты и новизна: Разработана технология профилированных кристаллов CdSb, созданы новые оптические и термоэлектрические приборы. Предмет и степень внедрения: Технология кристаллов и приборов внедрены. Эффективность внедрения: На уровне опытно-конструкторских разработок и серийного производства. Сфера (область) использования: Электроника, оптика.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах