Рым Я. И. Получение монокристаллов твердых растворов В-Gа2-хInхО3 и исследование их оптико-люминисцентных свойств

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0495U002602

Облікова картка дисертації

0495U002602.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

07-12-1994

Спеціалізована вчена рада

Д 068.26.05

Анотація

Объект исследования: Монокристаллы твердых растворов В-Gа 2-х InхО3 (О меньше=хменьше=0,22). Цель исследования: Разработка технологии получения монокристаллов, исследование их оптических и люминисцентных свойств. Методы исследования и аппаратура: Экспериментальные методы исследования оптических и люминисцентных свойств, аппаратура для исследования кристаллов. Теоретические результаты и новизна: Установлена связь оптического поглощения и люминисценции с электронной структурой и межатомными расстояниями. Практические результаты и новизна: Разработана технология выращивания монокристаллов твердых растворов системы оксид галия-оксид индия. Предмет и степень внедрения: Планируется создание детекторов УФ радиации на область длин волн 250-320 нм. Сфера (область) использования: Оптоэлектроника.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах