Тютько И. О. Изменение физических параметров диодных структур на базе ZnS и CdS, индуцированных рентгеновским облучением

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0495U002634

Облікова картка дисертації

0495U002634.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

11-01-1994

Спеціалізована вчена рада

Д 068.26.05

Анотація

Объект исследования: Поверхностно-барьерные диоды на базе монокристаллических сульфидов цинка и кадмия. Цель исследования: Установить закономерности изменений в приконтактных областях диодов Au-ZnS и Au-CdS вследствие рентгеновского облучения. Методы исследования и аппаратура: Вольт-амперные характеристики, полная проводимость, модуляционная емкостная спектроскопия, спектрометр ГУ 7-1, ДРОН. Теоретические результаты и новизна: Установлено влияние мелких доноров области барьерного контакта на адмитанс диодов (надл.емкость порядка выходной). Практические результаты и новизна: Предложен метод улучшения рабочих параметров диодов с помощью малых доз рентгеновского облучения. Предмет и степень внедрения: Планируется создание высококачественных светодиодов и УФ-датчиков. Сфера (область) использования: Материаловедение, физика полупроводниковых приборов.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах