Губа С. К. Получение тонких эпитаксиальных слоев на базе CaA изметрическим методом хлоридной эпитаксии

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0495U002681

Облікова картка дисертації

0495U002681.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

02-12-1994

Спеціалізована вчена рада

Д 19.01.02

Анотація

Объект исследования: Гетероструктуры на основе CaA. Цель исследования: Получение ПТШ с высокой крутизной ВАХ. Методы исследования и аппаратура: Оптические, электрофизические. Теоретические результаты и новизна: Найден новый способ получения буферных слоев. Практические результаты и новизна: Созданы методом хлоридной эпитаксии ПТШ с лучшими параметрами. Сфера (область) использования: Электроника.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах