Мелконян Д. В. Рекомбинация носителей заряда в излучающих p-n переходах на основе GaP с неоднородностями

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0495U002716

Облікова картка дисертації

0495U002716.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

13-12-1994

Спеціалізована вчена рада

К 068.24.03

Анотація

Объект исследования: Светоизлучающие p-n-структуры на основе фосфида галлия. Цель исследования: Разработка механизмов кинетики электролюминесценции в p-n-переходах с неоднородностями. Методы исследования и аппаратура: Кинетика электролюминесценции /ГКИТ, осциллограф С7-8/, введение дислокаций /ПМТ-3/. Теоретические результаты и новизна: Разработана модель релаксации электролюминесценции в p-n-переходах. Практические результаты и новизна: Разработаны новые методы контроля неоднородностей в излучающих p-n-переходах. Сфера (область) использования: Разработка полупроводниковых источников света.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах