Билынский И. В. Экситонные и электронные состояния полупроводниковых сверхтонких пленок и простых гетероструктур полупроводников

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0495U003103

Облікова картка дисертації

0495U003103.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

28-06-1995

Спеціалізована вчена рада

Д 07.01.06

Анотація

Объект исследования: Сверхтонкие полупроводниковые пленки, простые гетероструктуры полупроводников. Цель исследования: Изучение спектров экситонов в сверхтонких пленках, роль многофонных виртуальных процессов в перенормировании спектра элек. Методы исследования и аппаратура: Вариационные методы Ритца и Ли-Лоу-Пайнса, метод функции Грина. Теоретические результаты и новизна: Впервые детально исследовано электронные и экситонные состояния в сверхтонких пленках и простых гетероструктурах. Практические результаты и новизна: Возможность применения для разработки разного рода оптических приборов. Сфера (область) использования: Полупроводниковое материаловедение.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах