Шуста В. С. Сжимаемость и фазовые превращения в сегнетоэлектрических кристаллах (Pby ShI-y)2P2S6 при высоких гидростатических давлениях

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0495U003161

Облікова картка дисертації

0495U003161.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

21-09-1995

Спеціалізована вчена рада

К 15.01.05

Анотація

Объект исследования: Сегнетоэлектрические полупроводниковые твердые расстворы. Цель исследования: Влиние давления на физические свойства кристаллов в окрестности фазовых переходов. Методы исследования и аппаратура: Электрофизические, оптические, аппаратура высокого гидростатического давления. Теоретические результаты и новизна: Пострена фазовая р, Т, у-диаграмма состояния кристаллов, исследованы электрофизиологические, оптические и упругие свойства. Практические результаты и новизна: Создан оригинальный метод исследования сжимаемости твердых тел.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах