Сейковский И. Д. Адсорбционные и фоточувствительные эффекты в халькогенидных сегнетоэлектриках-полупроводниках

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0495U003164

Облікова картка дисертації

0495U003164.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

21-09-1995

Спеціалізована вчена рада

К 15.01.05

Анотація

Объект исследования: Нами выбраны монокристаллические образцы Sn2, P2S6, Sn2P2Se6, Ag3AsS3. Цель исследования: Изучить влияние состояния электронной подсистемы на полупроводниковые и сегнетоэлектрические свойства. Методы исследования и аппаратура: Электрофизические, оптические, аппаратура сверхвысокого вакуума. Теоретические результаты и новизна: Впервые проведены комплексные экспериментальные исследования электронных процессов при адсорбции и фотовозбуждении. Практические результаты и новизна: Предложена новая методика идентификации поверхностных и объемных локальных уровней. Новый способ измерения давления газов. Предмет и степень внедрения: Изготовленный лабораторный датчик давления газов. Сфера (область) использования: Химические технологии и разработка газовых анализаторов.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах