Хляп Г. М. Исследование свойств гетеропереходов на основе сульфида свинца и соединений А2В6

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0495U003248

Облікова картка дисертації

0495U003248.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

27-10-1995

Спеціалізована вчена рада

Д 07.10.06

Анотація

Объект исследования: Гетероструктуры Pbs-А2В6, впервые полученные методом МЛЭ. Цель исследования: Выявление физических закономерностей в этих гетероструктурах для улучшения существующих и создания новых оптоприборов. Методы исследования и аппаратура: Методы физики поверхности твердого тела, модели Андерсона-Червени-Лиу и Харрисона-Френсли-Кремера. Теоретические результаты и новизна: Впервые построены зонные диаграммы и рассчитаны основные электрические параметры указанных гетероструктур. Практические результаты и новизна: Указанные гетероструктуры фоточувствительны в области спектра 2-6мкм, они могут быть основой для создания новых оптоприборов. Сфера (область) использования: Полупроводниковая микроэлектроника.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах