Пазюк В. В. Экситон-фононные состояния плоских гетероструктур

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0495U003293

Облікова картка дисертації

0495U003293.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

26-10-1995

Спеціалізована вчена рада

Д 07.01.06

Анотація

Объект исследования: Плоские гетеросистемы, экситон-фононное взаимодействие. Цель исследования: Изучение спектров приповерхностных экситонов. Методы исследования и аппаратура: Теоретические и числовые методы, компьютер (методы Бете, функций Грина). Теоретические результаты и новизна: Построена теория взаимодействия приповерхностного экситона с поляризацией плоской гетеросистемы. Практические результаты и новизна: Использование полученных результатов для объяснения эксперимента относительно спектров экситонов плоских генероструктур. Сфера (область) использования: Поупроводниковое материаловедение.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах