Мельник В. В. Оптоэлектронные свойства диодных структур на основе сульфоселенидов цинка

Объект исследования: Монокристаллы сульфида и селенида цинка n-и р-типа проводимости и диодные структуры на их основе. Цель исследования: Установление условий изготовления ZnSe и ZnS с заданными параметрами, диодных структур на их основе. Исследование их свойств. Методы исследования и аппаратура: Методы: оптические, электрические, фотоэлектрические, люминесцентные. Аппаратура: СФ-26, МДР-23, электроизмерительные приборы. Теоретические результаты и новизна: Методом квазихимических реакций проведен расчет концентраций равновесных дефектов в кристаллах ZnSe:In. Практические результаты и новизна: Впервые получены слои сульфоселенидов цинка с дырочной проводимостью. Изготовлены ПБД и анизотипные гетеропереходы с воспроизводимыми и стабильными параметрами и характеристиками. Предмет и степень внедрения: Фотоприемники и светодиоды на основе ПБС и гетеропереходов на ZnSe и ZnS. Сфера (область) использования: Астрономия, метрология, медицина.