Алексеев А. Е. Структурные свойства приповерхностного нарушенного слоя монокристаллов кремния

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0496U000597

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

09-04-1996

Спеціалізована вчена рада

Д 05.01.07

Анотація

Объект исследования: Монокристаллические кремниевые подкладники и их приповерхностный нарушенный слой (ПНС). Цель исследования: Разработка модели, которая однопозиционно описывает распределение микродефектов в ПНС при разных условиях его создания. Методы исследования и аппаратура: Метод измерения локальной фотоЕРС, метод С-У характеристик в комплексе с послойным. Теоретические результаты и новизна: установлено, что структура ПНС является мультифрактальной, предложена точно рассчитанная модель локальной фотоЕРС. Практические результаты и новизна: Предложена методика определения распределения микродефектов в приповерхностном нарушенном слое. Предмет и степень внедрения: Результаты изложены в публикациях научных изданий и материалах конференций. Эффективность внедрения: Результаты позволяют осуществиить экспрессный прогноз выхода качественных изделий в микроэлектронике. Сфера (область) использования: Экспрессная диагностика полупроводниковых подкладок, сенсоры.

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах