Березовский М. М. Влияние изовалентной примеси кадмия на физические свойства кристаллов селенида цинка

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0496U001714

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

24-10-1996

Спеціалізована вчена рада

Д 07.01.06

Анотація

Объект исследования: Широкозонные II-VI соединения. Цель исследования: Изучение поведения влияния Cd на физические свойства ZnSe, изготовления на их основе приборов, возможности практического использования. Методы исследования и аппаратура: Электрические, оптические, фотоэлектрические и люминесцентные исследования; монохроматор, ФЭУ-79, нановольтамперметры. Теоретические результаты и новизна: Расширение представлений о природе центров поглощения и рекомбинации в ZnSe и ZnSe<Cd>; предложена схема оптических переходов. Практические результаты и новизна: Установлено технологические режимы легирования кристаллов ZnSe изовалентной примесью Cd. Предмет и степень внедрения: Высокотемпературные люминофоры, детектор оптического и рентгеновского излучения. Эффективность внедрения: Люминесцентные кристаллы с зелено-голубым свечением. Сфера (область) использования: Полупроводниковая электроника.

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах