Павлишенко Б. М. Рекомбинационный механизм пьезофоторезистивного эффекта в полупроводниках

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0496U002011

Облікова картка дисертації

0496U002011.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

06-12-1995

Спеціалізована вчена рада

Д 04.04.08

Анотація

Объект исследования: Широкозонные полупроводники с локальными уровнями. Цель исследования: Изучение рекомбинационного механизма пьезофоторезистивного эффекта. Методы исследования и аппаратура: Аналитические и численные методы анализа неравновесных процессов в полупроводниках. Теоретические результаты и новизна: Теория рекомбинационного механизма пьезофоторезистивного эффекта, показана возможность эффективного изменения. Практические результаты и новизна: Стационарным фотовозбуждением динамической тензочувствительности. Предмет и степень внедрения: Теория пьезофоторезистивного эффекта. Сфера (область) использования: Физика полупроводников, функциональная электроника.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах