Ибрагим А. М. Влияние термообработок и гамма-облучения на свойства поликристаллических пленок тигаллата кадмия

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0496U002187

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

13-02-1996

Спеціалізована вчена рада

Д 05.01.07

Анотація

Объект исследования: Поликристаллические пленки тигаллата кадмия. Цель исследования: Установление природы собственных дефектов и разработанных методов управления свойствами пленок CdGa2S4. Методы исследования и аппаратура: Спектроскопия, фотопроводимость и фотолюменисцентность, рентгеновская дифрактометрия. Теоретические результаты и новизна: Выявлены новые полосы фотолюменисценции и установлена природа основных дефектов пленок тигаллата кадмия. Практические результаты и новизна: Предложен метод получения пленок CdGa2S4 с высокой радиационной стойкостью. Предмет и степень внедрения: Публикации в научных изданиях, в докладах международной конференции, на семинарах. Эффективность внедрения: Возможность использования тиогаллата кадмия в оптоэлектронике. Сфера (область) использования: Производство на базе пленок CaGa2S4 детекторов УФ и рентгеновского излучения.

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах