Санин С. И. Частотные возможности субмикронных полупроводниковых структур

Объект исследования: Диоды Ганна мм- субмм-диапазона с разными контактами и диоды с двухбарьерной квантовой структурой. Цель исследования: Влияние контактов и других параметров на частотный диапазон генераторов и умножителей на диодах Ганна и диодах с ДБКС. Методы исследования и аппаратура: Математическое моделирование на ЭВМ, экспериментальные генераторы на диодах Ганна. Теоретические результаты и новизна: Определены оптимальные параметры диодов Ганна и диодов с ДБКС для использования в генераторах и умножителях. Практические результаты и новизна: Даны практические рекомендации по выбору оптимальных параметров диодов Ганна и диодов с ДБКС для создания генераторов и умножителей частоты мм- субмм-диапазонов. Сфера (область) использования: Физика полупроводниковых приборов, метрология, радиолокация.