Вернидуб Р. М. Радиационные дефекты в фосфиде галлия и фосфиде индия и влияние ультразвука на их свойства

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0496U002508

Облікова картка дисертації

0496U002508.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

20-12-1996

Спеціалізована вчена рада

К 35.02.01

Анотація

Объект исследования: Кристаллы фосфида галлия и фосфида индия. Цель исследования: Установление природы радиационных дефектов и механизмов влияния на них ультразвука. Методы исследования и аппаратура: Ядерно-физические, электрические, оптические. Теоретические результаты и новизна: Выявлен эффект ультразвукового очищения образцов от радиоционных дефектов вакансионной природы. Практические результаты и новизна: Установлен эффект акустостимулированой диффузии дефектов. Предмет и степень внедрения: Восстановленные светодиоды. Эффективность внедрения: Способ повышения прозрачности кристаллов СaP. Сфера (область) использования: Производство оптоэлектронной техники.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах