Шляхтуров В. В. Быстродействующие сцинтилляторы на основе чистых и легированных кристаллов йодистого цезия

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0496U003159

Облікова картка дисертації

0496U003159.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

19-06-1996

Спеціалізована вчена рада

Д 02.11.01

Анотація

Объект исследования: Люминесцентные, оптические, структурные свойства чистых и легированных кристаллов Csl. Цель исследования: Разработка научных основ получения быстродействующих сцинтиляторов на основе Csl. Методы исследования и аппаратура: Выращивание кристаллов, исследование люминесцентных характеристик с временным разрешением, рентгенография, СЭМ. Теоретические результаты и новизна: Подтверждена гипотеза о коррелированной релаксации быстрых дефектов и возбуждений. Результаты являются новыми. Практические результаты и новизна: получены монокристаллы Csl с высоким световым выходом быстрых УФ сцинтилляций. Кристаллы прошли успешную апробацию как детекторы в экспериментах по физике высоких энергий. Предмет и степень внедрения: Методика выращивания Csl. Сфера (область) использования: Физика люминесценции в ЩГК. Быстродействующие сцинтилляционные детекторы.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах